Spectro ellipsometer

Spectro ellipsometer

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FE-5000 series

FE5000은 엘립소미트리를 사용하여 UV - 가시광선 파장 범위에서 박막의 두께 및 광학상수를 측정합니다. FE5000의 자동 각도 조절 메커니즘으로 웨이퍼, 디스플레이, 필름에서 신소재까지 다양한 종류의 샘플 측정이 가능합니다. 탈착식 retarder 및 rotating analyzer를 통해 측정 정확도가 향상되었으며 다채널 분광법을 이용하여 400ch 이상의 빠른 측정이 가능합니다.

 제품 특성  
  • 가시광선 및 자외선 범위(250 ~ 800nm)에서 엘립소 파라미터를 측정합니다.

  • 초박막 두께를 측정합니다.

  • 다채널 분광법을 이용해 빠른 측정이 가능합니다. (400ch 이상)

  • 더 자세한 분석을 위한 각도 조절 메커니즘을 갖추고 있습니다.

  • 광학 상수 데이터베이스 및 레시피 등록 기능으로 조작성이 우수합니다.

  • 필름의 두께 및 특성을 다층피팅 분석을 이용해 관리합니다.

▲FE-5000                      ▲FE-5000S

▲FE-5000                                                 ▲FE-5000S

 제품 사양 
ModelFE-5000FE-5000S
*Spot size**approx. φ 1.2approx. φ 2.0
***Wavelength range250 ~ 800nm300 ~ 800nm
Stage drivemanual / automanual
LoaderOKNG
Size and weight1,300(W) x 900(D) x 1,750(H)mm,
****approx. 350kg
650(W) x 400(D) x 560(H)mm, approx. 50kg
Measurement samplereflective sample
Sample size100 x 100mm
Principlerotating analyzer method(rotating polarizer, detachable retarder)
Thickness rangeover 0.1nm(nd)
Irradiate(reflect) angle45 ~ 90°
Irradiate(reflect) angle drive methodautomatic sine-bar drive
Tanψ accuracy
< ± 0.01
CosΔ accuracy
< ± 0.01
Reproducibility< 0.01%(measured in VLSI standard Sio 2(100nm))
Detectorpolychrometer(PDA, CCD)
Light source*****high stability xenon lamp
Software analysisLeast squares thin film analysis(reflective index model function, Cauchy dispersion model,
nk-Cauchy dispersion model), theoretical analysis(bulk surface analysis(n.k.), simultaneous
analysis of angle-dependence)

*측정 조건에 따라 다름

**마이크로 스팟 이용 가능

***측정 가능한 파장 범위

****자동 스테이지

*****측정 파장에 따라 다름

 측정 
측정 항목
  • 엘립소 파라미터(tanψ, cosΔ)

  • 광학 상수 분석(n: 굴절률, k: 소광 계수)

  • 두께 분석


측정 데이터

> Gradient model을 사용한 ITO 구조 분석

ITO(indium-tin-oxide)는 LCD 디스플레이와 같이 평면 디스플레이에 사용되는 투명 전극 재료입니다. ITO의 전기 전도도 및 색상은 막 형성 후 열처리에 의해 개선되는데, 이 때 ITO의 결정 상태가 변화합니다. 이 변화는 필름 두께에 따라 단계적으로 경사 변화를 얻는 경향이 있으며, 광학적으로 균일한 조성을 갖는 단일층이 되지 않습니다. Gradient model을 사용하여 상하 표면의 n, k에 대한 경사도를 측정하는 사례를 소개하고자 합니다.


 응용 분야 
  • 반도체 웨이퍼
    - 게이트 산화물 박막, 질화막
    - SiO2, SiOx, SiN, SiON, SiNx, Al2O3, poly-Si, ZnSe, BPSG, TiN 등
    - 포토레지스트


  • 화합물 반도체
    - AlGaAs, a-Si 등


  • 평판 디스플레이
    - TFT
    - OLED용 증착물질


  • 신소재
    - DLC(Diamond Like Carbon), 초전도 박막


  • 광학 박막
    - TiO2, SiO2, 다층 필름, 반사 방지 필름, 반사 필름


  • Lithography
    - optical constant for g ray(436nm), h ray(405nm), i ray(365nm), KrF(248nm)
    - optical constant of resist at each wavelength