Wafer mapping systems

Wafer mapping systems

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웨이퍼의 결함 또는 손실을 제때 식별하는 것은 연구소와 제조업체의 중요한 과제입니다. 웨이퍼 매핑 시스템은 실시간으로 실리콘 웨이퍼를 측정하고 컬러 코딩 그리드로 결과를 시각화하여 웨이퍼 특성을 한눈에 파악할 수 있도록 합니다.


이 시스템에는 3 가지 유형의 스테이지 (Rθ, XY 및 RθXY)를 장착 할 수 있습니다.

SF-3Rθ는 최대 12 인치 웨이퍼까지 고속으로 매핑합니다. SF-3AA 또는 SF-300AAF는 패턴 매칭 기능과 2μm이하의 X-Y 모션 재현성을 탑재한 시스템입니다.

 제품 특성  

SF-Rθ

  • 고속으로 웨이퍼 두께 정보를 제공합니다.

  • 최대 Ø 300mm 웨이퍼까지 다점 매핑 측정이 가능합니다.

  • 웨이퍼 연삭 장치나 템퍼러리 본더 등 반도체 프로세스 장치에 임베디드 대응이 가능합니다.


SF-3AA, SF-300AAF

  • 미세 패턴을 얼라인하고 웨이퍼 두께 정보를 제공합니다.
  • 고정밀 X-Y 스테이지(± 2μm 이하)를 장착하여 정밀한 재현성 실현이 가능합니다.
  • MEMS나 센서 디바이스 등 측정이 가능합니다. (옵션: 6인치, 8인치, 12인치)
  • 웨이퍼 모양 이외에도 대응 가능합니다.


 제품 사양 
TypeRθ mapping systemhigh precision
X-Y mapping system
Integration mapping system
ModelSF-3RθSF-3AASF-300AAF
Stage typeRθ stageX-Y stageRθXY stage
Measurement systemprobeprobemicroscope head
Max. wafer sizeup to 300mmup to 300mm300mm
Wafer angle correction functionXOO
Pattern alignment functionXOO
Wafer thickness rangeSF-3 thickness sensor specification
Sizebody465(W) x 615(D) x 540(H)mm570(W) x 700(D) x 680(H)mm475(W) x 555(D) x 1,620(H)mm
controller430(W) x 430(D) x 210(H)mm570(W) x 700(D) x 680(H)mm


Rθ stage                                                                         X-Y stage

 측정 
측정 항목
  • 패턴이 있는 웨이퍼
  • 실리콘 웨이퍼, SiC, GaN, 각종 화합물 웨이퍼
  • 템퍼러리 웨이퍼


측정 데이터

>   SF-3Rθ   본디드 웨이퍼(Si/본딩/서포트 기판)


Si 필름 막두께 분포 (약 775μm)                                                                           본딩 필름 막두께 분포 (약 15μm)



>   SF-3AA / SF-300AAF  본디드 웨이퍼(Si/본딩/서포트 기판)

Si 필름 막두께 분포 (약 25μm)                                                                         본딩 필름 막두께 분포 (약 25μm)